SSD NVMe industrial M.2 2280 de 512 GB | Sandisk

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Construido sobre la robusta arquitectura 3D NAND de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 presenta alto rendimiento y resistencia para respaldar el desarrollo de innovación revolucionaria en aplicaciones de conducción industrial y autónoma.

El IX SN530 cuenta con una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™¹ con NAND de grado industrial para proporcionar rangos de temperatura de funcionamiento extendidos y resistencia. Diseñado para ofrecer versatilidad y valor en múltiples capacidades, los formatos M.2 2230 y 2280, junto con la opción de configuraciones SLC o TLC, aportan lo último en diseño robusto y duradero al sector industrial.

Temperaturas de funcionamiento
La tecnología actual debe ser capaz de operar en un amplio rango de temperaturas. Lo último en tecnologías industriales está diseñado para soportar condiciones climáticas que van desde olas de calor estivales hasta tormentas de nieve invernales, y se espera que los datos recopilados por estos sistemas sobrevivan a estas duras condiciones. El nuevo soporte de temperatura de funcionamiento amplio del SSD NVMe IX SN530 (de -40 °C a +85 °C) permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo de almacenamiento frío o caliente para que puedan diseñar sus últimas innovaciones con la mayor confianza y flexibilidad.

Diseñado para condiciones extremas y difíciles
El IX SN530 está diseñado no solo para funcionar en un rango más amplio de temperaturas, sino también para soportar condiciones más extremas al tener una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 ms y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G a 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con una resistencia proyectada de hasta 24 000 TBW para soportar aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para sistemas ubicados en ubicaciones remotas y de difícil acceso, donde las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.

Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadoras de datos, cajas negras y registros de datos, la opción SLC del IX SN530, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (proyectada) y un rendimiento de escritura secuencial sostenida de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de usar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad al ofrecer una resistencia TLC 9 veces superior y un rendimiento de escritura sostenida TLC hasta 5 veces superior.

Diseño robusto interno
El IX SN530 es una solución de almacenamiento Sandisk totalmente integrada verticalmente. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador y el firmware internos, hasta la validación y calificación internas. Permitiendo la alta calidad y confiabilidad esperadas de un SSD de grado industrial.

Rendimiento para satisfacer las demandas más exigentes
Al utilizar PCIe Gen 3×4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para satisfacer los crecientes requisitos de rendimiento de los sistemas de IoT industriales. Con velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 MB/s y velocidades de escritura de hasta 1950 MB/s, el IX SN530 combina su robustez con la velocidad.

Las unidades SSD NVMe ofrecen opciones
Con dos factores de forma, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para el diseño y las limitaciones mecánicas que los diseñadores de sistemas pueden encontrar al considerar soluciones de almacenamiento de alta capacidad.

Aspectos destacados
● Temperatura de funcionamiento de -40 ˚C a +85 ˚C
● Frecuencia de vibración de funcionamiento de 20 G a 7-2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (2 TB solo disponibles en el factor de forma M.2 2280)²
● Resistencia proyectada hasta 5200 TBW (TLC) y hasta 24 000 TBW (SLC)³
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 MB/s y velocidades de escritura de hasta 1950 MB/s⁴
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Factores de forma M.2 2230 y M.2 2280

Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● PC industriales
● Automatización de fábrica
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipos de red
● Sistemas de entretenimiento a bordo
● Puertas de enlace IoT Edge
● Datos Registro para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivo de arranque para sistemas automotrices
● Grabación de datos y DVR móviles para transporte público

Especificaciones: Capacidad: 256 GB, Formato: M.2 2280, Rendimiento de lectura secuencial: 2400 MB/s, Rendimiento de escritura secuencial: 900 MB/s, Lectura aleatoria: 160 000 IOPS, Escritura aleatoria: 85 000 IOPS, Interfaz: PCIe Gen3 x4, NVMe v1.4, Garantía: Garantía limitada de 5 años, Resistencia (TBW): 650 unidades, Dimensiones (L x An x Al): 80 mm x 22 mm x 2,38 mm, Peso: 7,5 g, Temperatura de funcionamiento: -40 °C a 85 °C, Temperatura de inactividad: -40 °C a 95 °C, Certificaciones: FCC, CE, UL, TUV, BSMI, KCC, RCM, Marruecos, VCCI y CAN. Características del producto ICES-3(B)/NMB-3(B)Resistencia de hasta 5200 TBW (TLC) y hasta 24000 TBW (SLC)Soporta una amplia gama de condiciones ambientales, incluidas temperaturas de funcionamiento, golpes y vibracionesIdeal para PC industriales, automatización de fábricas, robótica, diseños sin ventilador y más

Color	Capacity : 256 GB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 256 GB — Form Factor : M.2 2230, Capacity : 512GB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 512GB — Form Factor : M.2 2230, Capacity : 1 TB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 1 TB — Form Factor : M.2 2230, Capacity : 2 TB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 340GB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 340GB — Form Factor : M.2 2230, Capacity : 85GB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 85GB — Form Factor : M.2 2230, Capacity : 170GB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 170GB — Form Factor : M.2 2230, Capacity : 256 GB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 256 GB — Form Factor : M.2 2230, Capacity : 512GB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 512GB — Form Factor : M.2 2230, Capacity : 1 TB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 1 TB — Form Factor : M.2 2230, Capacity : 2 TB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 340GB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 340GB — Form Factor : M.2 2230, Capacity : 85GB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 85GB — Form Factor : M.2 2230, Capacity : 170GB — Form Factor : M.2 2280, Capacity : 170GB — Form Factor : M.2 2230
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